3月17日，据台湾《经济日报》音讯，台积电美国亚利桑那州厂估计2024年量产4纳米，高通（Qualcomm）全球资深副总裁暨首席运营官陈若文今日表明，高通将是台积电美国厂4纳米的第一批客户。陈若文进一步阐明，外界误解台积电的美国大客户要求台积电将台湾地区的产能搬至美国，其实便是期望台积电在美国也能建置产能。至于本钱，他不认为是个问题。

  据韩媒Business Korea报导，三星电子将在本年上半年开端大规模出产第三代4纳米芯片。报导称，三星电子3月12日发布了一份商业陈述，陈述说到将在本年上半年开端2.3代（2.3-generation process）4纳米工艺大规模出产。这是三星电子初次说到4纳米新版本的详细量产时刻。与4纳米芯片的第一代产品SF4E比较，第二代和第三代产品显示出更好的功能，更低的功耗，而且运用更小的晶圆面积。现在，业界现已量产的最先进的半导体工艺制程为3纳米，但商场根本的产品仍为4纳米和5纳米芯片上，竞赛厂商首要

  10月20日，三星电子在韩国首尔举行晶圆代工论坛，此前三星现已分别在美国加州、德国慕尼黑、日本东京举行了该论坛活动，韩国首尔是本年三星晶圆代工论坛的收官站点。在上述晶圆代工系列活动上，三星对外介绍了最新技能成果，以及未来五年晶圆代工工作开展规划。豪赌先进制程：2025年2nm、2027年1.4nm！本年6月，三星首先启动了根据GAA(全盘绕栅极）架构的3nm制程芯片出产。未来三星将持续提高GAA有关技能，并将其导入2nm和1.7nm节点工艺。依照规划，三星将于2025年量产2nm先进制程工艺技能，到202

  代工厂听任客户假造制作工艺谎话许多人偶然会谎称自己的年纪或体重，但若公司呈现了谎称行为，则可视为虚伪广告或至少构成了品牌稀释。最近的半导体商场就呈现了这种状况，其时，两家抢先的代工厂都听任客户宣称他们采用了4纳米工艺，而实际运用的却仍是5纳米技能。这种状况让两边均形象受损，尤其是代工厂。而这背面，也代表着晶体管开展的缓慢。这样的一个问题开始始于三星。在与台积电下一个节点的长时刻竞赛中，三星在交给5纳米芯片的一年后宣告将于2021年末交给出产4纳米芯片。如图1所示，台积电计划在5纳米和4纳米节点之间用两年时刻，在2

  据外媒报导，在本年的IEEE世界电子设备会议（IEDM）上，芯片巨子英特尔发布了2019年到2029年未来十年制作工艺扩展道路纳米制作工艺。

  Intel日本分公司在筑波市举行了一次技能会议，内容较为丰厚，触及半导体技能现状与未来、Nehalem微架构、ATM自动办理技能、Anti-Thefe防盗技能、My WiFi无线技能等等。 其间有关半导体制作工艺的展望引起了咱们的特别重视。近十几年来，Intel以每两年晋级一次的速度从0.25微米(um)一路走到了45纳米(nm)，中心历经了0.18微米、0.13微米、90纳米、65nm等四个代代，并带来了多种技能革新，比方晶圆尺度从200毫米到300毫米、内部互联资料从铝到铜、通道从硅到应变硅